バイポーラ トランジスタの 2 つ連続ダイオードの PN 接合。エミッタ領域、コレクター領域に電場の影響下で逆バイアス接合部障壁の CB から注入される前方のバイアス EB の節穴は、コレクター電流 IC を形成します。コレクターのほとんどがエミッタ間の電圧をバイアス、逆の偏りのあるコレクターに追加されます。
もしトランジスタ #39; s エミッタ電流増幅係数 β = IC/IB = 100、コレクター電流 IC = ベータ * IB = 10 ma。場合は小さな電流 IB のバイアス回路に重ねて交互ベース コレクター回路に対応する交流電流 IC が表示されます c/IB = バイポーラ トランジスタ #39; ベータ版 s 電流増幅を実現しました。